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IXFR 44N50Q
IXFR 48N50Q
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
120
90
V GS = 10V
8V
7V
30
24
18
60
6V
12
6
0
5V
30
0
5V
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
8
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
30
24
18
12
5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 48A
I D = 24A
6
0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
45
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
12
24
36
48
60
72
84
96
108 120
-50
-25
0
25
50
75
1 00
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR52N30Q 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50F 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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